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首页 - 产品应用 - 产品介绍
名    称: 东微半导体    简介
所属类别: Oriental (东微半导体    )
功    率: 60-200V系列SFGMOS,600-800V系列GreenMOS

 

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 产品介绍
   为适应电源系统高效率小型化的需求,东微半导体    推出了新型的GreenMOSTM系列高压MOSFET及SFGMOSTM系列中低压高速 MOSFET产品。采用独特专 利器件结构和制造工艺,GreenMOSTM和SFGMOSTM产品具有比常规 MOSFET更快的开关速度及 更柔和的开关曲线,在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡。不仅可以大大提高系统效率、降低发热量,同时简化了系统EMI设计。GreenMOSTM系列产品覆盖 500-900V全系列,最大提供 高达80A静态电流的规格, 最高工作频率达到2MHz,可以满足各种电 源系统的需求。 SFGMOSTM系列产品提供 60-200V耐压,内阻低至 2.5mΩ。基于其高效率低温升的特点,东微半导体    的功率器件产品特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务 器电源、电动车充电桩、电机驱动等系统。
 
 产品特点
 东微GreenMOS结构示意图电场分
  东微半导体    的GreenMOSTM器件采用了超级结 的技术原理(图1),基于其电荷平 衡技术,衬底掺杂浓度可以大幅提高,超级结器件 的特征导通电阻 因而大大降低。GreenMOSTM器件进一步优化了 工艺参数,器件内部电场更加均衡(图2),性能也更加出 色和稳定。超级结器件 包括多次外延(图3)和深槽外延(图 4)两种制造工艺。 前者成本较高,而后者由于其开关软度不够,容易出现开关震荡并引起电磁兼容(EMC)问题。GreenMOSTM具有专利的制程和 器件结构设计,对传统技术进行了优化(图5), 提升了器件开关的 软度并改善了外延缺陷,解决了传统超级结 器件电磁兼容和可靠性的问题。其高效率的开关性能接近昂贵的氮化镓器件,成熟的硅加工技术使GreenMOSTM器件具备极高的可 靠性。
传统超级结
 GreenMOS超级结器件
 
 产品性能

GreenMOS与VDMOS特征导通电阻

GreenMOS与VDMOS开关特性比较图

 图6. GreenMOSTM与VDMOS特征导通电阻 Ron(sP)比较图。GreenMOSTM的Ron(sP)低于硅极限曲线, 并远小于传统VDMOS。

 图7. GreenMOSTM与VDMOS开关特性比较图 。GreenMOSTM具有高速开关和高 软度开关曲线特点,能够有效降低产品的开关损耗。
 
GreenMOS与VDMOS的效率曲线(
24W LED Driver) 11A GMOS 2MHz Operating waveforms
图8. GreenMOSTM应用于24W LED Driver对应同规格 VDMOS的效率曲线,内阻 同为2.3ohm的器件,在应用 GreenMOSTM并增大栅极驱动电 阻的情况下效率依然大于相同规格的VDMOS。 图9. 由于GreenMOSTM器件的Cgd极小,其开关性能 接近第三代半导体氮化镓器件,可以在2-3MHz高压模块中使用, 且没有明显的效率损失。系统工作频率远远高于传统平面MOS及普通的超级结器件 。高频电源系统可以充分发挥GreenMOSTM器件超低FOM值的优势,大大减 小系统的尺寸,提高系统效率。
 

GreenMOS及SFMOS应用高效率电源系

GreenMOS及SFGMOS优点

图10. GreenMOSTM及SFGMOSTM系列产品广泛应用 于各种高效率电源系统。其超低的导通电阻及开关损耗大大提高了系统的转换效率,降低发热量, 使系统设计具有更 高的灵活度和性价比。 图11. 更低成本的栅极 驱动器电路设计;更快的开关速度,特别是在一些集成度高,模块化的产品应用中可以采用更高的频率,有效减小体积,节省更多成本;超低的导通电阻,提高系统的可靠性,减小散热材料体积。
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